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元件参数资料
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参数目录40976
> STSJ100NHS3LL MOSFET N-CH 30V 20A PWRSOIC-8
型号:
STSJ100NHS3LL
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
STMicroelectronics
描述:
MOSFET N-CH 30V 20A PWRSOIC-8
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
STSJ100NHS3LL PDF
标准包装
2,500
系列
STripFET™
FET 型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
100A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
4.2 毫欧 @ 10A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
2.5V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs
35nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds
4200pF @ 25V
功率 - 最大
3W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
8-SOIC(0.154",3.90mm Width)裸露焊盘
供应商设备封装
8-SOIC-EP
包装
带卷 (TR)
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